ReRAM是忆阻器的一种变体，它是一种非易失性存储器件，其电阻可通过电压脉冲设置或复位。适用于先进制造的变型交叉开关被称为灯丝装置。它建立在芯片硅片之上的层内，IC的互连位于芯片的上方，它由三层组成：从顶部到底部——银，非晶硅和钨。非晶硅上的电压使得银原子的细丝穿过与钨的间隙，使存储单元导电。反转电压将银推回到位，切断传导。
“灯丝本身只有三到四纳米宽。”Crossbar市场营销和业务开发副总裁Sylvain Dubois说，“因此电池本身将能够缩小到10纳米以下。”此外，设备开启时的电流与关闭时的电流之比为1,000或更高。作为嵌入式非易失性存储器的竞争对手，例如磁性随机存取存储器（MRAM），数量级要小得多。
凭借代工厂的支持，Crossbar希望将嵌入式ReRAM推向将人工智能系统移植到小型或移动设备（如监控摄像头或无人驾驶飞机）中的关键。 “人工智能走到了尽头，”杜波瓦说。 “你不能依靠云来进行辅助驾驶或自动驾驶，甚至不能使用移动电话。”
“今天AI的工程师面临的最大挑战是克服当前架构中的内存速度和功耗瓶颈，以获得更快的数据访问，同时降低能源成本，”Dubois在新闻发布会上表示。他认为，将ReRAM嵌入处理器应该能够实现快速访问和节能。该公司正在下周在加利福尼亚州圣克拉拉的Embedded Vision Summit上展示测试芯片，它能够运行人脸识别和车牌识别，Dubois说。并且它可以训练在没有云帮助的情况下识别新面孔。
爱吧机器人网编译，原作者BSamuel K. Moore
原文链接：https://spectrum.ieee.org/nanoclast/semiconductors/memory/crossbar-pushes-reram-into-embedded-ai
