电阻RAM技术开发商Crossbar表示,它已与航空航天芯片制造商Microsemi达成协议,允许后者在未来的芯片中嵌入Crossbar的非易失性存储器。此举是在先进制造业节点的领先代工厂选择Crossbar的技术之后。 Crossbar依靠电阻式RAM(ReRAM)来实现人工智能系统,其神经网络位于设备内而不是云端。
ReRAM是忆阻器的一种变体,它是一种非易失性存储器件,其电阻可通过电压脉冲设置或复位。适用于先进制造的变型交叉开关被称为灯丝装置。它建立在芯片硅片之上的层内,IC的互连位于芯片的上方,它由三层组成:从顶部到底部——银,非晶硅和钨。非晶硅上的电压使得银原子的细丝穿过与钨的间隙,使存储单元导电。反转电压将银推回到位,切断传导。
“灯丝本身只有三到四纳米宽。”Crossbar市场营销和业务开发副总裁Sylvain Dubois说,“因此电池本身将能够缩小到10纳米以下。”此外,设备开启时的电流与关闭时的电流之比为1,000或更高。作为嵌入式非易失性存储器的竞争对手,例如磁性随机存取存储器(MRAM),数量级要小得多。
凭借代工厂的支持,Crossbar希望将嵌入式ReRAM推向将人工智能系统移植到小型或移动设备(如监控摄像头或
无人驾驶飞机)中的关键。 “
人工智能走到了尽头,”杜波瓦说。 “你不能依靠云来进行辅助驾驶或自动驾驶,甚至不能使用移动电话。”
“今天AI的工程师面临的最大挑战是克服当前架构中的内存速度和功耗瓶颈,以获得更快的数据访问,同时降低能源成本,”Dubois在新闻发布会上表示。他认为,将ReRAM嵌入处理器应该能够实现快速访问和节能。该公司正在下周在加利福尼亚州圣克拉拉的Embedded Vision Summit上展示测试芯片,它能够运行人脸识别和车牌识别,Dubois说。并且它可以训练在没有云帮助的情况下识别新面孔。
爱吧机器人网编译,原作者BSamuel K. Moore
原文链接:https://spectrum.ieee.org/nanoclast/semiconductors/memory/crossbar-pushes-reram-into-embedded-ai