IDC预测，2015年至2020年，全球生成的数据量将从7.2ZB增加到至少40ZB。如此大的数据量如何实现快速读取和分析？存储领域对新介质的需求愈发强烈。
互联网+时代，企业需要的是高性能、高耐用性、低成本固态盘解决方案。2015年，英特尔相继宣布携手镁光研发推出了高密度闪存3D NAND技术以及内存技术3D Xpoint。
英特尔公司高级副总裁兼非易失性存储器（NVM）解决方案事业部总经理Robert B. Crooke
英特尔公司高级副总裁兼非易失性存储器（NVM）解决方案事业部总经理Robert B. Crooke表示：“针对用户的应用需求与业务特点，我们的策略主要是形成用户需求、技术创新与平台优化的闭环，深入挖掘用户的实际应用特点，有针对性的进行技术创新，并针对不同应用环境进行产品、系统、平台层面的全面优化，从而使得用户能够获得更好的应用体验、扩大英特尔固态盘在企业级与消费级市场的市场份额。”
当前，平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展极限，给半导体存储器行业带来严峻挑战。由英特尔与镁光联合开发而成的新的3D NAND技术，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。
这款3D NAND技术在未来几年中将会逐渐获得价格优势，在数据中心领域为加速SSD代替HDD奠定基础。
英特尔与镁光共同研发的3D Xpoint技术则可以称之为在内存处理技术上的重大突破。英特尔公司非易失性存储器（NVM）解决方案事业部策略及产品规划总监Prasad Alluri在做产品介绍时表示，3D XPoint技术可以带来1000倍的性能提升，即比目前在移动设备和固态硬盘上使用的NAND闪存速度快1000倍，而且耐久度更好。3D Xpoint也是25年来第一款全新的内存芯片。
英特尔公司非易失性存储器（NVM）解决方案事业部策略及产品规划总监Prasad Alluri
3D Xpoint技术不但可以改善个人计算的体验，还可以可以用来打造高性能、高容量的储存解决方案，成本也同样很低。除了比NAND闪存更快，这种新技术还比目前在计算机中使用的DRAM密度高10倍，这意味着更多的数据可以被储存在处理器附近，并带来更快的访问速度。
英特尔还透露，搭载以上两种技术的产品将在明年相继面世。
